光敏三极管技术特性及参数

最大功率PM 最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。峰值波长λp 当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。1光电灵敏度 在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。

光电灵敏度是指在特定波长的入射光功率下，光敏三极管输出的光电流强度与管芯单位面积之间的关系。它是衡量光敏三极管对特定波长光的敏感度的重要参数。响应时间是光敏三极管对入射光信号的反应速度，通常在1 X 10-3至1 X 10-7秒范围内。

光敏三极管的优越性在于它能够响应光辐射，形成光电流。当PN结受到光辐射时，会产生光生电流，该电流从基极进入发射极，并在集电极回路中放大β倍，形成信号电流。这种电流放大作用使得光敏三极管在光电转换方面具有显著优势。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，这意味着它们能够响应不同波长的光。

第一，光敏二极管具有极高的电阻性，在无光环境下表现出显著特点。这种特性有助于在低光环境下节省能量。其次，光敏二极管作为可控开关，能及时感应光线变化，实现精准控制。最后，其可偏置连接的特点使其在电子电路中用途广泛，高度实用。第二，光敏二极管的结构原理独特。

【光敏电阻参数】小参数包含的大知识

1、灵敏度是指光敏电阻的暗电阻与亮电阻的相对变化。它主要表示了光敏电阻对照射光的敏感度，是光敏电阻的主要参数之一。最高工作电压 最高工作电压是指光敏电阻在额定功率下工作时所能承受的最高电压。这个参数主要表示光敏电压的使用范围，也是在实际应用中首先要注意的参数。

2、光敏电阻的主要参数是：（1）光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下，当有光照射时，流过的电流称为光电流，外加电压与光电流之比称为亮电阻，常用100LX表示。（2）暗电流、暗电阻。光敏电阻在一定的外加电压下，当没有光照射的时候，流过的电流称为暗电流。

3、亮电阻（kΩ）：指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。2）暗电阻（MΩ）：指光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。3）最高工作电压（V）：指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压4）亮电流：指光敏电阻器在规定的外加电压下受到光照射时所通过的电流。

光敏电阻有哪些重要特性,在工业应用中是如何发挥这些特性的

1、时延特性 当光敏电阻受到脉冲光照射时，光电流要经过 一段时间才能达到稳定值，而在停止光照后，光电流 也不立刻为零，这就是光敏电阻的时延特性。光照特性 从光敏电阻的光照特性曲线可以看出，随着的光照强度的增加，光敏电阻的阻值开始迅速下降。

2、光敏电阻是半导体材料制成的特殊电阻器，表面涂有防潮树脂，具有光电导效应。光敏电阻对光线极为敏感，光照强度越大，电阻值越低。光照强度增加时，电阻值会迅速下降，甚至可降低至1KΩ以下。

3、光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器，其工作原理是基于内光电效应。光照愈强，阻值就愈低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。

4、光敏电阻的主要特点是响应速度快、光谱响应范围广以及具有较灵敏的响应特性。由于其特殊的性质，光敏电阻被广泛应用于光电控制设备、光照明系统、光检测仪器以及自动化控制系统中，用于实现光照度的检测与控制。 重要性：在现代社会，随着科技的发展，光敏电阻在诸多领域的应用越来越广泛。

5、光敏电阻的第二个特点就是伏安特性，因为光敏电阻本质是电阻，因此符合欧姆定律，也就是光敏电阻的伏安特性。温度特性指的是光敏电阻的相对光电导率会随着温度的升高而下降。光敏电阻的时间相应比其他的光电器件略大，频率的响应也要较低，且具有其自己的特殊性。还具有光谱响应、噪声特性等特点。

6、光敏电阻的工作原理基于半导体的光导电特性，光子能量超过禁带宽度时，会激发电子跃迁，增加导电性，从而改变电阻。在实际应用中，如路灯控制，天黑时光敏电阻阻值降低，使电路导通，路灯亮起。在光控开关电路中，通过光敏电阻的光照强度变化来控制开关的开闭。

光电特性跟光照特性有什么区别

光电特性是指光电流的大小和辐射通量有关，即I=f（辐射通量符号）。

光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出，随着的光照强度的增加，光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度，则电阻值变化减小，然后逐渐趋向平缓。在大多数情况下，该特性为非线性。

光电特性是指在恒定电压下，光电流IL随光照度变化的关系。光敏三极管的光电特性曲线显示，其线性度不如光敏二极管，并且在弱光条件下，光电流的增加较慢。温度特性显示了温度对光敏三极管的暗电流和光电流的影响。在一定温度范围内，温度对光电流的影响比对暗电流的影响更小。

光敏电阻的光照特性 光电流随着照度的变化而改变的规律称为光照特性。不同类型的光敏电阻的光照特性不同。由实验可知，光电流随着照射强度一起增大或减小。当入射光很强或很弱时，光敏电阻的光电流与光照之间会呈现非线性关系。其他照度区域近似呈线性关系。

光谱特性光敏三极管由于使用的材料不同，分为锗光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。伏安特性光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。

光生伏特效应光电伏特效应与光电池

光电池是一种能够直接将光能转换为电能的光电器件。当有光线作用于光电池时，它就相当于一个电源，无需额外电源即可在电路中工作。光电池的工作原理基于“光生伏特效应”，即在光照作用下，半导体材料的能级发生变化，从而产生电压差。

光电池是基于光生伏特效应。光电池它是指经过光的照射发生电动势的一类半导体器件，光电池的类型很多，常见的主要有硅光电池以及硫化铊还有我们的硫化银光电池等。很多的都是被用于仪表，遥控以及自动化遥测这三个上面，有的光电池能够直接的将太阳能进行装换成为电能，这类型的光电池被称之为太阳能电池。

光生伏特效应：在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。 基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极。

光电导效应：在这种效应中，光线被吸收后，电子虽不逸出物体，但物体的电阻率显著降低。光电导效应的典型应用包括光敏电阻和光敏晶体管等。 光生伏特效应：当光线被吸收后，电子在物体内部的自建电场中产生光电压。光生伏特效应是光电池、光敏二极管和三极管等元件的工作基础。

基于光生伏特效应工作的光电器件是光电池、光敏二极管、三极管。“光生伏特效应”，简称“光伏效应”，英文名称：Photovoltaic effect。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。

光生伏特效应是指光照射到物体内部时，会在物体内部产生电动势。光电池就是基于光生伏特效应的光电传感器，它将光能直接转换为电能。这三种光电效应的研究和应用对量子理论的发展起到了重要作用。每种金属都有其特定的极限频率，即能够使电子逸出的最低光频率。